Transistor a canale P IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 860pF. Carica: 38.7nC. Condizionamento: tubus. Costo): 340pF. DRUCE CORRENTE: -14A. Diodo Trr (min.): 120ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 8.2A. ID (min): 100uA. Id(imp): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Polarità: unipolari. Potenza: 79W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Resistenza termica abitativa: 1.9K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: -100V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43