Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
2.82fr
10-49
1.80fr
50-99
1.70fr
100-199
1.66fr
200+
1.63fr
| Quantità in magazzino: 5 |
Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Confezione: bobina. DRUCE CORRENTE: -14A. Polarità: unipolari. Potenza: 3.8W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione drain-source: -100V. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22
IRF9530NSTRLPBF
12 parametri
Alloggiamento
D2PAK
migliorato
Assemblaggio/installazione
SMD
Confezione
bobina
DRUCE CORRENTE
-14A
Polarità
unipolari
Potenza
3.8W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione drain-source
-100V
Tipo di transistor
P-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies