Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.87fr
5-9
1.91fr
10-19
1.77fr
20-49
1.68fr
50+
1.61fr
| Quantità in magazzino: 5 |
Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Confezione: bobina. DRUCE CORRENTE: -14A. Polarità: unipolari. Potenza: 3.8W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione drain-source: -100V. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 01/01/2026, 21:12
IRF9530NSTRLPBF
12 parametri
Alloggiamento
D2PAK
migliorato
Assemblaggio/installazione
SMD
Confezione
bobina
DRUCE CORRENTE
-14A
Polarità
unipolari
Potenza
3.8W
RoHS
sì
Tecnologia
HEXFET®
Tensione drain-source
-100V
Tipo di transistor
P-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies