Transistor a canale P IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V

Transistor a canale P IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V

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Prezzo unitario
1+
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Transistor a canale P IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -11A. Marcatura del produttore: F9640S. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. RoHS: no. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42

Documentazione tecnica (PDF)
IRF9640S
17 parametri
Alloggiamento
D²-PAK
Custodia (standard JEDEC)
TO-263
Tensione drain-source Uds [V]
-200V
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.5 Ohms @ -6.6A
Capacità del gate Ciss [pF]
1200pF
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Dissipazione massima Ptot [W]
125W
Famiglia di componenti
MOSFET, P-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
-11A
Marcatura del produttore
F9640S
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
39 ns
RoHS
no
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
14 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
-4V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier