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Infineon (irf)
Transistor a canale P IRF9953, SO8
Riferimento prodotto : IRF9953
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| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.92 fr | — |
| 5 – 9 | 1.92 fr | -34% |
| 10 – 19 | 1.77 fr | -39% |
| 20 – 49 | 1.69 fr | -42% |
| 50+Miglior prezzo | 1.61 fr | -45% |
Descrizione tecnica del prodotto (IRF9953):
Transistor a canale P IRF9953, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 6.1nC. DRUCE CORRENTE: -2.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tensione di gate-source: 20V. Tensione drain-source: -30V