Transistor a canale P IRF9953, SO8
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.31fr
5-9
2.18fr
10-19
2.02fr
20-49
1.92fr
50+
1.83fr
| Quantità in magazzino: 1 |
Transistor a canale P IRF9953, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 6.1nC. DRUCE CORRENTE: -2.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tensione di gate-source: 20V. Tensione drain-source: -30V. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 09/09/2025, 15:10
IRF9953
11 parametri
Alloggiamento
SO8
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
6.1nC
DRUCE CORRENTE
-2.3A
Polarità
unipolari
Potenza
2W
Resistenza termica
62.5K/W
RoHS
sì
Tensione di gate-source
20V
Tensione drain-source
-30V
Prodotto originale del produttore
Infineon (irf)