Transistor a canale P IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 8.5A. ID (min): 25uA. Id(imp): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43