Transistor a canale P IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 620pF. Carica: 23.3nC. Condizionamento: tubus. Costo): 280pF. DRUCE CORRENTE: -19A. Diodo Trr (min.): 54ms. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 14A. ID (min): 25uA. Id(imp): 68A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Polarità: unipolari. Potenza: 68W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Resistenza allo stato: 100M Ohms. Resistenza termica abitativa: 1.73K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43