Transistor a canale P IRFD9014PBF, -60V, 1.1A, DIP-4
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
1.28fr
10-19
0.98fr
20-29
0.88fr
30-99
0.79fr
100+
0.78fr
| Quantità in magazzino: 35 |
Transistor a canale P IRFD9014PBF, -60V, 1.1A, DIP-4. Tensione drain-source (Vds): -60V. Corrente di assorbimento massima: 1.1A. Alloggiamento: DIP-4. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:55
IRFD9014PBF
7 parametri
Tensione drain-source (Vds)
-60V
Corrente di assorbimento massima
1.1A
Alloggiamento
DIP-4
Rds sulla resistenza attiva
0.50 Ohms
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Vishay