Transistor a canale P IRFD9110PBF, HEXDIP, -100V, 0.7A, -100V. Alloggiamento: HEXDIP. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 0.7A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -0.7A. Marcatura del produttore: IRFD9110PBF. Numero di terminali: 4. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06