Transistor a canale P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V
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Transistor a canale P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Alloggiamento: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Carica: 18nC. DRUCE CORRENTE: -1A, -0.7A. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 0.6A. Marcatura del produttore: IRFD9120PBF. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Polarità: unipolari. Potenza: 1.3W. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -100V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43