Transistor a canale P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Alloggiamento: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (massimo): 0.56A. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Carica: 15nC. DRUCE CORRENTE: -600mA, -0.36A. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 0.34A. Marcatura del produttore: IRFD9220PBF. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Polarità: unipolari. Potenza: 1W. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -200V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43