Transistor a canale P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V

Transistor a canale P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.84fr
5-24
0.69fr
25-49
0.60fr
50-99
0.54fr
100+
0.47fr
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Transistor a canale P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 650pF. Carica: 21.3nC. Costo): 270pF. DRUCE CORRENTE: -18A. Equivalenti: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 11A. ID (min): 25uA. Id(imp): 64A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. Polarità: unipolari. Potenza: 57W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. Resistenza termica abitativa: 2.2K/W. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 19/12/2025, 04:54

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR5505
34 parametri
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=25°C)
18A
Idss (massimo)
250uA
Custodia (secondo scheda tecnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
650pF
Carica
21.3nC
Costo)
270pF
DRUCE CORRENTE
-18A
Equivalenti
IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
11A
ID (min)
25uA
Id(imp)
64A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
57W
Polarità
unipolari
Potenza
57W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.11 Ohms
Resistenza termica abitativa
2.2K/W
RoHS
Td(acceso)
12 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tensione di gate-source
20V, ±20V
Tensione drain-source
-55V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier