Transistor a canale P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor a canale P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.83fr
5-24
0.69fr
25-49
0.58fr
50+
0.52fr
Quantità in magazzino: 35

Transistor a canale P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 270pF. Costo): 170pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 3.2A. ID (min): 100uA. Id(imp): 20A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: FET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR9014
29 parametri
ID (T=25°C)
5.1A
Idss (massimo)
500uA
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
270pF
Costo)
170pF
Diodo Trr (min.)
80 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
3.2A
ID (min)
100uA
Id(imp)
20A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
25W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.50 Ohms
RoHS
Td(acceso)
11 ns
Td(spento)
9.6 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
FET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay