Transistor a canale P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V

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Transistor a canale P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V. Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -11A. Marcatura del produttore: FR9024N. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 20:56

Documentazione tecnica (PDF)

IRFR9024NTRPBF

17 parametri

Alloggiamento

D-PAK

Custodia (standard JEDEC)

TO-252

Tensione drain-source Uds [V]

-55V

Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.175 Ohms @ -6.6A

Capacità del gate Ciss [pF]

350pF

Configurazione

componente a montaggio superficiale (SMD)

Dissipazione massima Ptot [W]

38W

Famiglia di componenti

MOSFET, P-MOS

ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C

-11A

Marcatura del produttore

FR9024N

Numero di terminali

Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]

23 ns

RoHS

sì

Temperatura massima

+150°C.

Tempo di accensione ton [nsec.]

13 ns

Tensione di rottura del gate Ugs [V]

-4V

Prodotto originale del produttore

Infineon