Transistor a canale P IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 350pF. Costo): 110pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 4.2A. ID (min): 25uA. Id(imp): 26A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 28 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45