Transistor a canale P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Transistor a canale P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.26fr
5-49
0.19fr
50-99
0.17fr
100+
0.15fr
Quantità in magazzino: 245

Transistor a canale P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 510pF. Costo): 71pF. Diodo Trr (min.): 17 ns. Funzione: Ultra Low On-Resistance. ID (T=100°C): 2.4A. ID (min): 1uA. Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: H. Nota: serigrafia/codice SMD H. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.098 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 52 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLML5203
32 parametri
ID (T=25°C)
3A
Idss (massimo)
5uA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
510pF
Costo)
71pF
Diodo Trr (min.)
17 ns
Funzione
Ultra Low On-Resistance
ID (T=100°C)
2.4A
ID (min)
1uA
Id(imp)
24A
Marcatura sulla cassa
H
Nota
serigrafia/codice SMD H
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1.25W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.098 Ohms
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
52 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.5V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier