Transistor a canale P MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (massimo): 60mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 11pF. Condizionamento: rotolo. ID (min): 7mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 6W. Nota: serigrafia/codice SMD 6W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 6V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. Unità di condizionamento: 3000. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 18:37