Transistor a canale P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Marcatura del produttore: 6Y. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06