Transistor a canale P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 195pF. Costo): 105pF. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. ID (min): 1uA. IGF: 1A. Id(imp): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:01