Transistor a canale P NDT456P, SOT-223, -30V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1440pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -7.5A. Marcatura del produttore: NDT456P. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45