Transistor a canale P NTD2955-1G, TO-251 ( I-Pak ), -60V, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), 60V. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. C(in): 500pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 750pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 150pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 55W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID (min): 10uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -12A. Id(imp): 18A. Marcatura del produttore: NT2955G. Marcatura sulla cassa: NT2955. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 26 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 22:29