Transistor a canale P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 125us. ID (T=100°C): 6A. ID (min): 1uA. Id(imp): 20A. Marcatura sulla cassa: D8P05. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 20A. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 42 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Harris. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30