Transistor a canale P SI2307CDS, SOT-23, -30V

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Transistor a canale P SI2307CDS, SOT-23, -30V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -2.7A. Marcatura del produttore: N7. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Prodotto originale del produttore: Vishay (siliconix). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27

Documentazione tecnica (PDF)

SI2307CDS

16 parametri

Alloggiamento

SOT-23

Tensione drain-source Uds [V]

-30V

Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.138 Ohms @ -2.2A

Capacità del gate Ciss [pF]

340pF

Configurazione

componente a montaggio superficiale (SMD)

Dissipazione massima Ptot [W]

1.8W

Famiglia di componenti

MOSFET, P-MOS

ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C

-2.7A

Marcatura del produttore

Numero di terminali

Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]

40 ns

RoHS

sì

Temperatura massima

+150°C.

Tempo di accensione ton [nsec.]

60 ns

Tensione di rottura del gate Ugs [V]

-3V

Prodotto originale del produttore

Vishay (siliconix)