Transistor a canale P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

Transistor a canale P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.26fr
5-49
0.19fr
50-99
0.16fr
100+
0.14fr
Quantità in magazzino: 2713

Transistor a canale P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (massimo): 5nA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 50 ns. ID (T=100°C): 1.95A. ID (min): 1nA. Id(imp): 16A. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1nA. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 15 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 0.45V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:30

Documentazione tecnica (PDF)
SI3441BD
26 parametri
ID (T=25°C)
2.45A
Idss (massimo)
5nA
Alloggiamento
TSOP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TSOP-6
Voltaggio Vds(max)
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Diodo Trr (min.)
50 ns
ID (T=100°C)
1.95A
ID (min)
1nA
Id(imp)
16A
Numero di terminali
6
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1nA
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.07 Ohms
RoHS
Td(acceso)
15 ns
Td(spento)
30 ns
Tecnologia
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
0.45V
Voltaggio gate/source Vgs
8V
Prodotto originale del produttore
Vishay