Transistor a canale P SI4435DDY, SO8
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.26fr
5-9
0.78fr
10-19
0.67fr
20-49
0.60fr
50+
0.56fr
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Transistor a canale P SI4435DDY, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 50nC. DRUCE CORRENTE: -6.5A, -8.1A. Polarità: unipolari. Potenza: 5W. RoHS: sì. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -30V. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15
SI4435DDY
11 parametri
Alloggiamento
SO8
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
50nC
DRUCE CORRENTE
-6.5A, -8.1A
Polarità
unipolari
Potenza
5W
RoHS
sì
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
-30V
Tipo di transistor
P-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Vishay