Transistor a canale P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-99

1.96fr

100+

1.43fr

Quantità in magazzino: 238

Transistor a canale P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Capacità del gate Ciss [pF]: 800pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.4W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 3.1A. Marcatura del produttore: SI4948BEY-T1-GE3. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Prodotto originale del produttore: Vishay (siliconix). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:38

Documentazione tecnica (PDF)

SI4948BEY-T1-GE3

17 parametri

Alloggiamento

SO8

Custodia (standard JEDEC)

MS-012

Tensione drain-source Uds [V]

60V

Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.12 Ohms @ -3.1A

Capacità del gate Ciss [pF]

800pF

Configurazione

componente a montaggio superficiale (SMD)

Dissipazione massima Ptot [W]

2.4W

Famiglia di componenti

MOSFET, P-MOS

ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C

3.1A

Marcatura del produttore

SI4948BEY-T1-GE3

Numero di terminali

8:1

Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]

75 ns

RoHS

sì

Temperatura massima

+175°C.

Tempo di accensione ton [nsec.]

15 ns

Tensione di rottura del gate Ugs [V]

-3V

Prodotto originale del produttore

Vishay (siliconix)