Transistor a canale P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor a canale P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.61fr
5-24
1.35fr
25-49
1.19fr
50-99
1.07fr
100+
2.06fr
Quantità in magazzino: 28

Transistor a canale P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 80A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5500pF. Costo): 1130pF. Diodo Trr (min.): 110 ns. Funzione: -. ID (T=100°C): 57A. Id(imp): 320A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 35 ns. Td(spento): 165 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: Sgs Thomson. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

STP80PF55
27 parametri
ID (T=25°C)
80A
Idss (massimo)
80A
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
5500pF
Costo)
1130pF
Diodo Trr (min.)
110 ns
ID (T=100°C)
57A
Id(imp)
320A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.016 Ohms
RoHS
Td(acceso)
35 ns
Td(spento)
165 ns
Tecnologia
STripFETTM II Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
Sgs Thomson