Transistor a canale P YJP30GP10A, -100V, 30A, TO-220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.35fr
5-19
1.08fr
20-49
0.97fr
50-99
0.88fr
100-149
0.82fr
150+
0.80fr
| Quantità in magazzino: 746 |
Transistor a canale P YJP30GP10A, -100V, 30A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 30A. Alloggiamento: TO-220AB. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.056 Ohms. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:28
YJP30GP10A
8 parametri
Tensione drain-source (Vds)
-100V
Corrente di assorbimento massima
30A
Alloggiamento
TO-220AB
Potenza
125W
Rds sulla resistenza attiva
0.056 Ohms
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Yangjie Electronic Technology