Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Alloggiamento: TO-3PN. Collector Peak Current IP [A]: 60.4k Ohms. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 174W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Marcatura del produttore: FGA40N65SMD. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 120ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 650V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:39