Transistor IGBT HGTG20N60B3
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Transistor IGBT HGTG20N60B3. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Collector Peak Current IP [A]: 160A. Condizionamento: tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Corrente del collettore: 40A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): -. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 165W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Funzione: UFS Series IGBT. Ic(T=100°C): 20A. Ic(impulso): 160A. Marcatura del produttore: HG20N60B3. Marcatura sulla cassa: HG20N60B3. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 165W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 220 ns. RoHS: sì. Spec info: Tempo di caduta tipico 140ns a 150°C. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 220 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19