Transistor IGBT IGP03N120H2

Transistor IGBT IGP03N120H2

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-49
3.39fr
50+
2.46fr
Quantità in magazzino: 71

Transistor IGBT IGP03N120H2. Alloggiamento: TO-220AB. Collector Peak Current IP [A]: 9.9A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 3A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Marcatura del produttore: G03H1202. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 281 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.2 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3.9V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:16

Documentazione tecnica (PDF)
IGP03N120H2
15 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Collector Peak Current IP [A]
9.9A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
3A
Dissipazione massima Ptot [W]
62.5W
Famiglia di componenti
transistor IGBT
Marcatura del produttore
G03H1202
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
281 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
9.2 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
1.2 kV
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
3.9V
Prodotto originale del produttore
Infineon