Transistor IGBT IGW60T120. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3700pF. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Corrente del collettore: 100A. Costo): 180pF. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO-247-3. Custodia (standard JEDEC): -. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 375W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Ic(T=100°C): 60A. Ic(impulso): 150A. Marcatura del produttore: G60T120. Marcatura sulla cassa: G60T120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 480 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 480 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Tipo di canale: N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35