Transistor IGBT IGW75N65H5XKSA1
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.46fr
5-9
6.32fr
10-19
6.10fr
20-49
5.95fr
50+
5.76fr
| Quantità in magazzino: 5 |
Transistor IGBT IGW75N65H5XKSA1. Alloggiamento: TO247. Carica: 160nC. Collector Peak Current IP [A]: 300A. Corrente collettore Ic [A]: 75A. Emettitore - Tensione del gate: ±20V. RoHS: sì. Tecnologia: TRENCHSTOP™. Tensione (collettore - emettitore): 650V. Tipo di transistor: IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 31/12/2025, 18:10
IGW75N65H5XKSA1
10 parametri
Alloggiamento
TO247
Carica
160nC
Collector Peak Current IP [A]
300A
Corrente collettore Ic [A]
75A
Emettitore - Tensione del gate
±20V
RoHS
sì
Tecnologia
TRENCHSTOP™
Tensione (collettore - emettitore)
650V
Tipo di transistor
IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies