Transistor IGBT IKP10N60T
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-2
3.02fr
3-9
2.65fr
10-19
2.41fr
20-29
2.22fr
30-49
2.07fr
50+
2.07fr
| Quantità in magazzino: 41 |
Transistor IGBT IKP10N60T. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente del collettore: 24A. Potenza: 110W. Tensione collettore-emettitore: 600V. Tipo di transistor: transistor IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 15:30
IKP10N60T
6 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Corrente del collettore
24A
Potenza
110W
Tensione collettore-emettitore
600V
Tipo di transistor
transistor IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies