Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
11.15fr
2-3
10.00fr
4-5
9.12fr
6-29
8.26fr
30+
8.23fr
| Quantità in magazzino: 7 |
Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Alloggiamento: TO-247AC. Corrente del collettore: 50A. Diodo incorporato: sì. Potenza: 326W. Tensione drain-source: 1200V. Tipo di transistor: transistor IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 01/02/2026, 03:08
IKW25N120H3FKSA1
7 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Corrente del collettore
50A
Diodo incorporato
sì
Potenza
326W
Tensione drain-source
1200V
Tipo di transistor
transistor IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies