Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
11.04fr
2-3
9.91fr
4-5
9.03fr
6-29
8.19fr
30+
8.15fr
| Quantità in magazzino: 7 |
Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Alloggiamento: TO-247AC. Corrente del collettore: 50A. Diodo incorporato: sì. Potenza: 326W. Tensione drain-source: 1200V. Tipo di transistor: transistor IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 15:30
IKW25N120H3FKSA1
7 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Corrente del collettore
50A
Diodo incorporato
sì
Potenza
326W
Tensione drain-source
1200V
Tipo di transistor
transistor IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies