Transistor IGBT IKW25N120T2. Alloggiamento: TO-247. Collector Peak Current IP [A]: 100A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 25A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 349W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Marcatura del produttore: K25T1202. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 265 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.4V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:39