Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
22.43fr
5-9
21.07fr
10-19
20.62fr
20-49
20.21fr
50+
19.64fr
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Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1. Alloggiamento: TO-247AC. Carica: 290nC. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Corrente collettore Ic [A]: 50A. Corrente del collettore: 82A. Diodo incorporato: sì. Emettitore - Tensione del gate: ±20V. Potenza: 428W. RoHS: sì. Tensione (collettore - emettitore): 1200V. Tensione collettore-emettitore: 1200V. Tipo di transistor: transistor IGBT. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 01/02/2026, 03:08
IKW50N120CS7XKSA1
13 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Carica
290nC
Collector Peak Current IP [A]
150A
Corrente collettore Ic [A]
50A
Corrente del collettore
82A
Diodo incorporato
sì
Emettitore - Tensione del gate
±20V
Potenza
428W
RoHS
sì
Tensione (collettore - emettitore)
1200V
Tensione collettore-emettitore
1200V
Tipo di transistor
transistor IGBT
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies