Transistor IGBT IRG4BC30FDPBF
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Prezzo unitario
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5.40fr
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Transistor IGBT IRG4BC30FDPBF. Alloggiamento: TO-220AB. Collector Peak Current IP [A]: 60.4k Ohms. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 31A. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Marcatura del produttore: IRG4BC30FD. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 230 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 42 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:16
IRG4BC30FDPBF
16 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Collector Peak Current IP [A]
60.4k Ohms
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
31A
Custodia (standard JEDEC)
TO-220AB
Dissipazione massima Ptot [W]
100W
Famiglia di componenti
transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato
Marcatura del produttore
IRG4BC30FD
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
230 ns
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
42 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
600V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
6V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier