Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3300pF. Collector Peak Current IP [A]: 204A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 51A. Corrente del collettore: 51A. Costo): 200pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Ic(T=100°C): 28A. Ic(impulso): 204A. Marcatura del produttore: IRG4PF50W. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 29 ns. Td(spento): 110 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 29 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 900V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Tipo di canale: N. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35