Transistor IGBT IRGP4068D-EPBF

Transistor IGBT IRGP4068D-EPBF

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
10.15fr
5-9
9.39fr
10-24
8.78fr
25-49
8.29fr
50+
7.52fr
Quantità in magazzino: 1

Transistor IGBT IRGP4068D-EPBF. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3025pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 90A. Costo): 245pF. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: no. Ic(T=100°C): 48A. Ic(impulso): 144A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Td(acceso): 145 ns. Td(spento): 165 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:35

IRGP4068D-EPBF
24 parametri
Alloggiamento
TO-247
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3025pF
Condizionamento
tubo di plastica
Corrente del collettore
90A
Costo)
245pF
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247 ( AD )
Diodo CE
Diodo al germanio
no
Ic(T=100°C)
48A
Ic(impulso)
144A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
330W
RoHS
Td(acceso)
145 ns
Td(spento)
165 ns
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
1.65V
Tensione gate/emettitore VGE(th) min.
4 v
Tipo di canale
N
Unità di condizionamento
25
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
600V
Voltaggio gate/emettitore VGE
30 v
Prodotto originale del produttore
International Rectifier