Transistor IGBT IXGH39N60BD1
Qnéuantità
Prezzo unitario
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Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Alloggiamento: TO-247AD. Collector Peak Current IP [A]: 152A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 76A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Marcatura del produttore: 39N60BD1. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 500 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:16
IXGH39N60BD1
15 parametri
Alloggiamento
TO-247AD
Collector Peak Current IP [A]
152A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
76A
Dissipazione massima Ptot [W]
200W
Famiglia di componenti
transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato
Marcatura del produttore
39N60BD1
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
500 ns
RoHS
sì
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
25 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
600V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
5V
Prodotto originale del produttore
IXYS