Transistor IGBT SGW25N120

Transistor IGBT SGW25N120

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
19.15fr
10+
15.95fr
Quantità in magazzino: 51

Transistor IGBT SGW25N120. Alloggiamento: TO-247AC. Collector Peak Current IP [A]: 84A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 46A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 313W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Marcatura del produttore: SGW25N120. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 990 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:16

Documentazione tecnica (PDF)
SGW25N120
15 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Collector Peak Current IP [A]
84A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
46A
Dissipazione massima Ptot [W]
313W
Famiglia di componenti
transistor IGBT
Marcatura del produttore
SGW25N120
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
990 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
60 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
1.2 kV
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
5V
Prodotto originale del produttore
Infineon