Transistor IGBT SGW30N60

Transistor IGBT SGW30N60

Qnéuantità
Prezzo unitario
1+
9.82fr
Quantità in magazzino: 82

Transistor IGBT SGW30N60. Alloggiamento: TO-247AC. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Custodia (standard JEDEC): -. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Marcatura del produttore: G30N60. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 389 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:16

Documentazione tecnica (PDF)
SGW30N60
15 parametri
Alloggiamento
TO-247AC
Collector Peak Current IP [A]
112A
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
41A
Dissipazione massima Ptot [W]
250W
Famiglia di componenti
transistor IGBT
Marcatura del produttore
G30N60
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
389 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
53 ns
Tensione collettore-emettitore Uce [V]
600V
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
5V
Prodotto originale del produttore
Infineon