Transistor IGBT STGW60V60DF. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 8000pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 80A. Costo): 280pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 74 ns. Diodo al germanio: no. Ic(T=100°C): 60A. Ic(impulso): 240A. Marcatura sulla cassa: GW60V60DF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. RoHS: sì. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Td(acceso): 57 ns. Td(spento): 216 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 10:40