Transistor MOSFET FDS8958B. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 760pF. Costo): 155pF. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41