Transistor MOSFET FDS8962C

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-4

1.41fr

5-24

1.23fr

25-49

1.09fr

50-94

1.00fr

95+

0.85fr

Quantità in magazzino: 225

Transistor MOSFET FDS8962C. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Tecnologia: doppio transistor MOSFET, Canali N e P, PowerTrench. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)

FDS8962C

13 parametri

Alloggiamento

Assemblaggio/installazione

componente a montaggio superficiale (SMD)

Custodia (secondo scheda tecnica)

SO-8

Funzione

Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V

Numero di terminali

8:1

Pd (dissipazione di potenza, massima)

Quantità per scatola

RoHS

sì

Spec info

Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

Tecnologia

doppio transistor MOSFET, Canali N e P, PowerTrench

Temperatura di funzionamento

-55...+150°C

Tipo di canale

N-P

Prodotto originale del produttore

Fairchild