Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Alloggiamento: TO-247. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Diodo CE: no. Diodo al germanio: no. Funzione: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Td(acceso): 36ns. Td(spento): 137 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.45V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4.2V. Tipo di canale: N-P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19