Transistor MOSFET IRF7319. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Marcatura sulla cassa: F7319. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43