Transistor MOSFET SI4532CDY
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.69fr
5-49
0.55fr
50-99
0.46fr
100+
0.39fr
| Quantità in magazzino: 2459 |
Transistor MOSFET SI4532CDY. Alloggiamento: SO. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 340pF. Costo): 67pF. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Tecnologia: D-S-MOSFET. Tipo di canale: N-P. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 12/12/2025, 23:35
SI4532CDY
17 parametri
Alloggiamento
SO
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
340pF
Costo)
67pF
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Diodo Trr (min.)
30 ns
Funzione
IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS
ID (min)
1uA
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
1uA
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
2
RoHS
sì
Tecnologia
D-S-MOSFET
Tipo di canale
N-P
Prodotto originale del produttore
Vishay