Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V

Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.84fr
5-24
0.72fr
25-49
0.63fr
50-99
0.55fr
100+
0.45fr
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Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Corrente del collettore: 0.8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 25pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 800mA. Costo): 8pF. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Frequenza: 250MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura del produttore: 2N2219A. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Polarità: bipolari. Potenza: 800mW. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura massima: +200°C.. Tensione (collettore - emettitore): 60V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore: Cdil. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N2219A
38 parametri
Alloggiamento
TO-39 ( TO-205 )
Corrente collettore Ic [A], max.
800mA
Corrente del collettore
0.8A
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-39
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
40V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
25pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Corrente collettore Ic [A]
800mA
Costo)
8pF
Custodia (standard JEDEC)
TO-39
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Dissipazione massima Ptot [W]
0.8W
FT
300 MHz
Famiglia di componenti
transistor NPN
Frequenza di taglio ft [MHz]
300 MHz
Frequenza
250MHz
Guadagno hFE massimo
300
Guadagno hFE minimo
100
Marcatura del produttore
2N2219A
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.8W
Polarità
bipolari
Potenza
800mW
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura massima
+200°C.
Tensione (collettore - emettitore)
60V
Tensione collettore-emettitore Uceo [V]
40V
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.3V
Tensione massima di saturazione VCE(sat)
1V
Tipo di transistor
NPN
Vcbo
75V
Vebo
6V
Prodotto originale del produttore
Cdil