Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.26fr
5-49
0.22fr
50-99
0.19fr
100-199
0.16fr
200+
0.14fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 164

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Condizionamento: -. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 200. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Tipo di transistor: NPN. Unità di condizionamento: 2000. Vcbo: 50V. Vebo: 4.5V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 01:37

Documentazione tecnica (PDF)
2N5210
24 parametri
Corrente del collettore
100mA
Alloggiamento
TO-92
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-92
Voltaggio collettore/emettitore Vceo
50V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Funzione
Preamplificatore HI-FI a basso rumore
Guadagno hFE massimo
600
Guadagno hFE minimo
200
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.625W
Quantità per scatola
1
RoHS
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di saturazione VCE(sat)
0.7V
Tipo di transistor
NPN
Unità di condizionamento
2000
Vcbo
50V
Vebo
4.5V
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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